Transistor BJT

Transistor pertemuan dwikutub (BJT) adalah salah satu jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan baik elektron maupun lubang elektron, berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah satu pembawa. Walaupun sebagian kecil dari arus transistor adalah pembawa mayoritas, hampir semua arus transistor adalah dikarenakan pembawa minoritas, sehingga BJT diklasifikasikan sebagai peranti pembawa-minoritas.

BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua diode yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).

Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau h_{FE}. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.

Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.

Fungsi utama pembuatan transistor adalah sebagai penguat (amplifier), sebagai pemutus dan penyambung (switching), sebagai pengatur stabilitas tegangan, sebagai peratas arus, dapat menahan sebagian arus yang mengalir, menguatkan arus dalam rangkaian, dan sebagai pembangkit frekuensi rendah ataupun tinggi.

Karena sifatnya, transistor ini dapat digunakan dalam keperluan lain, misalnya sebagai suatu saklar elektronis. Susunan fisik transistor merupakan sambungan dari bahan semikonduktor tipe P dan tipe N, seperti digambarkan pada di bawah.

Bipolar Transistor merupakan komponen atau piranti yang mempunyai tiga terminal, maka dimungkinkan memiliki 3 konfigurasi rangkaian yaitu common base, common collector dan common emitter, ketika merancang suatu rangkaian transistor tiga konfigurasi inilah yang digunakan. Perancangan rangkaian transistor mengacu pada sifat dan karakteristik masing-masing konfigurasi transistor.

Perancangan rangkaian transistor biasanya mengacu pada beberapa parameter berikut:

·         Voltage Gain (Penguatan Tegangan)

·         Current Gain (Penguatan Arus)

·          Impedansi input

·         Impedansi output

·         Frekuensi respon

Tabel. Rangkuman konfigurasi transistor dan karakteristiknya  

Transistor Configuration	Common Base	Common Collector	Common Emitter
Voltage gain	High	Low	Medium
Current gain	Low	High	Medium
Power gain	Low	Medium	High
Input / output phase	0°	0°	180°
Input resistance	Low	High	Medium
Voltage gain	High	Low	Medium

Setiap konfigurasi mempunyai respon yang berbeda untuk setiap sinyal input dalam rangkaian

Common Base Configuration

Mempunyai “Voltage Gain” tanpa “Current Gain”. Konfigurasi transistor penguat basis biasanya digunakan pada aplikasi di mana diperlukan impedansi input yang rendah.

Common Emitter Configuration 

Mempunyai “Current dan Voltage Gain”. Konfigurasi transistor penguat emiter merupakan konfigurasi transistor yang paling banyak digunakan. Konfigurasi ini sering terlihat sebagai format umum untuk transistor penguat tegangan. Konfigurasi transistor penguat emiter digunakan untuk penguat dan sebagai output logika.

Common Collector Configuration

Mempunyai “Current Gain Tanpa Voltage Gain”. Konfigurasi transistor penguat collector digunakan pada banyak aplikasi. konfigurasi CC ini bisa berfungsi sebagai buffer.